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十三所1956年筹建于北京,1963年迁石家庄,是目前国内成立早,规模较大技术力量雄厚,专业结构配套的综合...
中国电子科技集团公司第十三研究所的专利信息
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN106206274A | 一种纳米栅的制备方法 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种纳米栅的制备方法，涉及半导体器件制造技术领域；在清洗好的衬底材料表面悬涂第一光刻胶， |
| 2 | CN104237769B | 毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法 | 2016.08.24 | 本发明公开了一种毫米波单片电路芯片的可靠性测试系统及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。 |
| 3 | CN101330058A | 波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法 | 2008.12.24 | 本发明属光电技术领域，具体涉及一种波导光探测器和异质结双极性晶体管的单片集成方法，该方法通过在HBT |
| 4 | CN105836699A | 一种圆形芯片的加工方法及一种半导体晶圆 | 2016.08.10 | 本发明涉及半导体晶圆芯片的加工方法技术领域，尤其是涉及MEMS圆形芯片的划片技术领域，具体公开了一种 |
| 5 | CN105696086A | 一种高压单晶炉内防止热电偶被腐蚀或熔断的结构 | 2016.06.22 | 本发明公开了一种高压单晶炉内防止热电偶被腐蚀或熔断的结构，涉及半导体材料制备领域。本发明包括加热器、 |
| 6 | CN101586985A | 单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法 | 2009.11.25 | 本发明公开了一种单片集成非制冷红外/紫外双色探测器及其制造方法，属于光电探测器领域，它包括衬底，其紫 |
| 7 | CN105737879A | 带有台阶高度的微米级光栅校准样片 | 2016.07.06 | 本发明公开了一种带有台阶高度的微米级光栅校准样片，涉及微纳米测量类仪器的校准领域。包括基底、以及在基 |
| 8 | CN101118250A | 一种硅MEMS压阻式加速度传感器 | 2008.02.06 | 本发明公开了一种硅MEMS压阻式加速度传感器，它属于微机械传感器领域。本发明包括硅框架、质量块、扭转 |
| 9 | CN105826401A | 空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管 | 2016.08.03 | 本发明公开了一种空气桥尺寸各异的太赫兹倍频肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括肖特 |
| 10 | CN105789097A | 系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳平行缝焊用夹具 | 2016.07.20 | 本发明公开了一种系统级封装用陶瓷针栅阵列外壳平行缝焊用夹具，涉及陶瓷封装外壳技术领域。本发明包括夹具 |
| 11 | CN105958944A | 太赫兹二倍频平衡式倍频电路 | 2016.09.21 | 本发明公开了一种太赫兹二倍频平衡式倍频电路，涉及用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡的装置技 |
| 12 | CN103258843B | 用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底 | 2016.06.15 | 本发明公开了一种用于太赫兹肖特基二极管的多孔衬底，属于半导体器件领域。本发明包括半绝缘衬底，在所述半 |
| 13 | CN205484619U | 微波器件自动测试系统 | 2016.08.17 | 本实用新型公开了一种微波器件自动测试系统，涉及电性能的测试装置技术领域。所述系统包括PC机、开关矩阵 |
| 14 | CN205472637U | 微机电系统封装基板 | 2016.08.17 | 本实用新型公开了一种微机电系统封装基板，涉及微机电装置或系统技术领域。所述基板包括基板本体，所述基板 |
| 15 | CN103983931B | 矢量网络分析仪S参数测量不确定度的确定方法 | 2016.06.08 | 本发明公开了一种矢量网络分析仪S参数测量不确定度的确定方法，涉及矢量网络分析仪的校准方法技术领域。所 |
| 16 | CN201410334Y | 柴油滤清器用智能控温加热器 | 2010.02.24 | 本实用新型公开了一种柴油滤清器用智能控温加热器，其包括外壳、置于外壳内部的加热元件，所述外壳为环形筒 |
| 17 | CN103400865B | 基于极化掺杂的GaN肖特基二极管 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种基于极化掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明包括用于支撑整个GaN肖 |
| 18 | CN100585409C | 三轴热对流加速度传感器 | 2010.01.27 | 本发明公开了一种三轴热对流加速度传感器，它属于微机械传感器领域。它包括内部设置有敏感元件的封闭腔体、 |
| 19 | CN205826701U | 大尺寸陶瓷针栅阵列外壳测试插座 | 2016.12.21 | 本实用新型公开了一种大尺寸陶瓷针栅阵列外壳测试插座，涉及大尺寸陶瓷针栅阵列插座技术领域，在原有陶瓷针 |
| 20 | CN106017383A | 接触式台阶仪探针检测图形样块 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种接触式台阶仪探针检测图形样块，涉及台阶仪测量技术领域，包括探针性能检查图形和扫描位置 |
| 21 | CN201413206Y | 铂铑热电偶 | 2010.02.24 | 本实用新型公开了一种铂铑热电偶，应用于温度测量方向。结构中包括铂铑-铂金属丝、支撑和固定铂铑-铂金属 |
| 22 | CN106023306A | 平面GaAs倍频二极管在太赫兹频段的建模方法 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种平面GaAs倍频二极管在太赫兹频段的建模方法，涉及特别适用于特定功能的数字计算设备或 |
| 23 | CN205657060U | 梁式引线太赫兹肖特基二极管 | 2016.10.19 | 本实用新型公开了一种梁式引线太赫兹肖特基二极管，涉及肖特基二极管技术领域。所述二极管包括太赫兹肖特基 |
| 24 | CN106130501A | Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器 | 2016.11.16 | 本发明公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本发明包含衬底，设于衬底 |
| 25 | CN105762183A | 具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法 | 2016.07.13 | 本发明公开了一种具有场板的AlGaN/GaN极化掺杂场效应晶体管及制造方法，涉及半导体器件制备领域。 |
| 26 | CN205608168U | 用于校准在片高值电阻测量系统的标准件 | 2016.09.28 | 本实用新型公开了一种用于校准在片高值电阻测量系统的标准件，涉及计量技术领域。本实用新型的标准件包括衬 |
| 27 | CN105865431A | 应用于MEMS陀螺数字电路的相位调节装置及解调装置 | 2016.08.17 | 本发明公开了一种应用于MEMS陀螺数字电路的相位调节装置及解调装置，涉及MEMS陀螺仪技术领域。所述 |
| 28 | CN205657651U | 太赫兹二倍频平衡式倍频电路 | 2016.10.19 | 本实用新型公开了一种太赫兹二倍频平衡式倍频电路，涉及用非正频率从一个独立信号源倍频或分频产生振荡的装 |
| 29 | CN106026927A | 耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路 | 2016.10.12 | 本发明公开了一种耐功率太赫兹二倍频非平衡式电路，涉及太赫兹电路技术领域。所述电路包括射频输入波导、石 |
| 30 | CN1454835A | 单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法 | 2003.11.12 | 本发明公开了一种单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的制作方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微 |
| 31 | CN1439598A | 全干法深刻蚀硅溶片制造方法 | 2003.09.03 | 本发明公开了一种全干法深刻蚀硅溶片制造方法，它涉及微电子机械工艺加工技术领域中的微电子机械系统器件结 |
| 32 | CN103400864B | 基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种基于极化掺杂的GaN横向肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明自下而上包括衬底、缓 |
| 33 | CN103400866B | 基于调制掺杂的GaN肖特基二极管 | 2016.12.28 | 本发明公开了一种基于调制掺杂的GaN肖特基二极管，属于半导体器件领域。本发明包括用于支撑整个GaN肖 |
| 34 | CN205825904U | 校准椭偏仪的膜厚样片及其检验样片 | 2016.12.21 | 本实用新型公开了一种校准椭偏仪的膜厚样片及其检验样片，涉及椭偏仪校准技术领域，包含多组附着二氧化硅或 |
| 35 | CN106249187A | 在片共面波导多线TRL校准件的设计与准确定义方法 | 2016.12.21 | 本发明公开了一种在片共面波导多线TRL校准件的设计与准确定义方法，涉及散射参数校准技术领域。该方法包 |
| 36 | CN106229808A | 脉冲激光器 | 2016.12.14 | 本发明公开了一种脉冲激光器，涉及激光器技术领域。所述激光器包括绝缘衬底层，所述绝缘衬底层上设有金属层 |
| 37 | CN106206930A | 压力传感器及其制备方法 | 2016.12.07 | 本发明公开了一种压力传感器及其制备方法，涉及测量压力的装置技术领域。所述压力传感器包括GaN层，所述 |
| 38 | CN205789372U | 立体绕线电感、变压器、均衡器和滤波器 | 2016.12.07 | 本实用新型公开了一种立体绕线电感，包括PCB板、输入焊盘、输出焊盘、多个导电通道和多根电感线圈导线； |
| 39 | CN103985646B | 替代氢气炉进行芯片烧结的方法 | 2017.05.03 | 本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法，涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤： |
| 40 | CN103489897B | 基于III族氮化物材料的准线性掺杂的器件结构 | 2017.04.26 | 本发明公开了一种基于III族氮化物材料的准线性掺杂的器件结构，属于半导体高频功率器件和高压器件，特别 |
| 41 | CN206115051U | 一种VBG外腔半导体激光器快轴准直透镜组装装置 | 2017.04.19 | 本实用新型公开了一种VBG外腔半导体激光器快轴准直透镜组装装置，属于VBG外腔半导体激光器快轴准直透 |
| 42 | CN206089797U | 光纤圆弧面镀膜夹具 | 2017.04.12 | 本实用新型公开了一种光纤圆弧面镀膜夹具，属于半导体激光器技术领域。本实用新型包括旋转机构和光纤固定机 |
| 43 | CN206060701U | Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器 | 2017.03.29 | 本实用新型公开了Ⅲ族氮化物薄膜体声波谐振器和滤波器，涉及谐振器和滤波器技术领域，本实用新型包含衬底， |
| 44 | CN106526322A | 可溯源的在片高值电阻测量系统及其溯源方法 | 2017.03.22 | 本发明公开了一种可溯源的在片高值电阻测量系统，属于测试和测量技术领域。可溯源的在片高值电阻测量系统包 |
| 45 | CN206014408U | 一种半导体晶圆 | 2017.03.15 | 本实用新型涉及半导体晶圆芯片的加工方法技术领域，尤其是涉及MEMS圆形芯片的划片技术领域，具体公开了 |
| 46 | CN206004131U | 脉冲激光器 | 2017.03.08 | 本实用新型公开了一种脉冲激光器，涉及激光器技术领域。所述激光器包括绝缘衬底层，所述绝缘衬底层上设有金 |
| 47 | CN104392923B | 异质结双极型晶体管的制作方法 | 2017.03.08 | 本发明公开了一种异质结双极型晶体管的制作方法，涉及半导体微波器件的制作方法技术领域。所述方法通过调整 |
| 48 | CN106452379A | 覆盖C‑Ku频段的GaN MMIC放大器 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种覆盖C‑Ku频段的GaN MMIC放大器，涉及MMIC放大器技术领域。所述放大器包括 |
| 49 | CN106446337A | 无源器件噪声标准值的计算方法 | 2017.02.22 | 本发明公开了一种无源器件噪声标准值的计算方法，涉及噪声测量技术领域。该方法包括以下步骤：建立无源器件 |
| 50 | CN104237707B | 微波器件可靠性测试装置及其测试方法 | 2017.02.15 | 本发明公开了一种微波器件可靠性测试装置及其测试方法，涉及测量电变量的装置或方法技术领域。所述方法包括 |
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